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艾思荔設備生產的半導體芯片高低溫試驗箱 壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸 其冷凍及風路循環系統的制冷機采用法國原裝“泰康”全封閉壓縮機，冷凍系統采用一元或二元式低溫回路系統設計。采用多翼式送風機強力送風循環，避免任何死角，可使測試區域內溫度分布均勻。風路循環出風回風設計，風壓．風速均符合測試標準，并可使開門瞬間溫度回穩時間快。升溫、降溫、系統完全獨立可提高 效率，降低測試成本，增長壽命，減低故障率。

半導體芯片高低溫試驗箱的結構特征：

1、內壁：進口SUS304不銹鋼

2、外殼：冷軋板靜電噴涂

3、保溫材料：硬質聚脂發泡或超細玻璃棉，具有保溫性有好等特點

4、密封：進口硅膠密封條

5、控溫濕方式：BTHC平衡調溫調濕

6、加熱：不銹鋼翅片空氣加熱

7、加濕：淺槽蒸汽加濕

8、冷機：進口全封閉壓縮機，機械式單級制冷或復迭低溫回路系統

9、設備供水凈化器

10、上電自動進水

11、對流系統：空調專用電機定制鋁風葉

12、設備運行定時器

13、箱門*設大面積觀察窗，并配有觀察燈

14、全自動控制與安全保護協調系統，主控制儀采用進口專用觸摸屏溫濕度控制儀

15、帶獨立的高度升降裝置，便于設備與振動臺配套

半導體芯片高低溫試驗箱技術規格參數：

型號: HL-80  尺寸:400*500*400   950*1650*950

型號: HL-150  尺寸:500*600*500  1050*1750*1050

型號: HL-225  尺寸:600*750*500  1200*1900*1150

型號: HL-408  尺寸:600*850*800  1200*1950*1350

型號: HL-800  尺寸:1000*1000*800  1600*2000*1450

型號: HL-1000  尺寸:1000*1000*1000  1600*2100*1450

溫度范圍：（A:25℃、B:0℃、C:-20℃、D:-40℃、E:-60℃、F:-70℃）～+150℃

濕度范圍：20～98%RH

溫度均勻度≤±2.0℃

溫度波動度≤±0.5℃

濕度波動:+2-3％RH

降溫速率：0.7℃～1℃（空載狀態下）

升溫速率：1～3℃（空載狀態下）

半導體芯片高低溫試驗箱工作原理：

制冷工作原理：制冷循環采用逆卡若循環，該循環出兩個等溫過程和兩個絕熱過程組成，其過程如下：制冷劑經壓縮機絕熱壓縮到較高的壓力，消耗了的功使排氣溫度升高，之后制冷劑經冷凝器等溫地和四周介質進行熱交換將熱量傳給四周介質。后制冷劑經截流閥絕熱膨脹做功，這時制冷劑溫度降低。后制冷劑通過蒸發器等溫地從溫度較高的物體吸熱，使被冷卻物體溫度降低。此循環周而復始從而達到降溫之目的。

制冷系統采用1套法國產泰康全封閉壓縮機所組成的單元氟利昂制冷系統。制冷系統的設計應用能量調節技術，既能保證制冷機組正常運行，又能對制冷系統的能耗及制冷量進行有效的調節，使制冷系統保持在佳的運行狀態。采用平衡調溫，既在制冷系統在連續工作的情況下，控制系統根據設定之溫度點通過PID自動運算輸出的去控制加熱器的輸出量，終達到一種動態平衡。

半導體芯片高低溫試驗箱技術要求：

1.試驗箱高功能高容量可設定程式150patterns：1500~eps：9999X999cycles，程式間并可任意串接(TINK)執行，無限次重復循環；則試，每段時間大設定99Hrs59Mins。

2.控制方式：采用智慧型PID+SSR/SCR正逆雙向同步輸出，內含電腦先進之斜率控制邏輯，具有RS—232C及485通信介面裝置，電腦聯線操控/編輯門己錄及二組動態接點(TIMERSINGALRELAY)，使用便捷。

3.可規劃LCD顯示幕BackLight~開啟時間，延長BackLight2使用壽命。

具4.程式修正、清除、預約啟動、停電記，億等功能。

5.升溫、降溫、加濕、除濕之所有元件，完全由微電腦自動控制，系統個別完全獨立。

6.內尺寸 100×80×100 ㎝ (W*D*H)

7.溫度范圍 -40℃～+150 ℃ (氣冷式)

8.濕度范圍 20 %～98 % RH（標準型）

9.降溫速率  不低于 1℃/min(20 ℃～-40 ℃)

10.升溫速率  不低于2 ℃/min(20 ℃～150 ℃)

11.溫度穩定度 ±0.2℃

12.濕度穩定度 ±2%

13.溫度偏差 ±1.0℃(-40℃～100℃)

14.另可結合負載；則試熱量溫度變化速率及其他要求進行專門設計。

15.可采用機械制：令和：夜態氦、二氧化碳、等制冷方式。

16.升降溫速率力2℃/min、5℃/min、8℃/min、10℃/min、15℃/min、20℃/min等。(可根據要求設計)

另可采用氣冷或水冷式散熱方式。

17.采用原裝日制微電腦大型液晶LCD(320~240dost)中英文顯示控制系統。

半導體芯片高低溫試驗箱主要結構和配置：

1．試驗室體結構：

1）采用組合式庫板結構，可以方便的在買方現場進行組裝。

2）試驗室內壁材料為SUS304不銹鋼板，外壁材料為冷軋鋼板，外表面靜電涂漆處理，顏色為淺灰白色；中間為100mm聚酯發泡和玻璃纖維棉保溫層。

3）工作間地面為防滑的花紋鋼板，防滑斜坡應保小車可方便地出入工作間。可根據客戶要求安裝軌道。

4）試驗室采用雙門結構，配有內外拉手。

5）工作間頂部安裝防爆照明燈，兩側留有電纜線引出孔各一個（不用時可密封）。

6）試驗室體結構應設計合理、制造工藝精良、內外表美觀、不銹鋼板及靜電噴涂表面平整，無磕碰劃傷等缺陷。

2.加熱器用不銹鋼316L鰭片散熱加熱管，升溫快，壽命長

3.攪拌系統采用長軸風扇電機，耐高低溫之不銹鋼多翼式葉輪,以達強制對流垂直循環，使實驗箱內的溫度均勻并保持穩定

4.引線孔可外接測試電源線或信號線使用（孔徑或孔數量可根據客戶需求制作）

5.風道為試驗箱溫度調節，循環的主體，使用材料為不銹鋼型材經切割氬弧焊制作而成，本試驗箱的加熱系統及溫度循環風機.溫度進出風口均安裝在風道中。

半導體芯片高低溫試驗箱控制系統：

1.控制器：彩色LCD顯示器，觸摸屏方式輸入，可保存試驗的設定值、采樣值及采樣時刻的時間；控制器可同時顯示和記錄設定溫度和實測溫度的試驗曲線

2.485USB接口:配專用優盤，試驗程序及試驗數據可通過優盤轉存，再用PC機進行分析和管理。

3.測試孔：直徑φ100mm2個

4.運行方法：定值

5.控制器具有多組PID參數，可將整個溫度范圍和濕度范圍分為多組PID進行控制，在設備的溫度控制范圍內可獲得佳的控制效果，而不必對每個溫度控制點進行自整定或手動PID參數調整。

6.控制系統采用固態繼電器過零觸發，以降低噪音，減少污染，方便維修，提高控制精度。  

7.在系統中除了主控制器外，還設置一獨立的超溫保護器，即使主控制器出現故障，超溫保護器也能可靠的斷開加熱電源以保護設備和試品的安全。

8.故障報警功能、自診斷功能、故障處理提示功能、試驗定時運行停止功能、箱體門開門提示報警

9.設備保護功能：可調式的超溫保護，總電源相序和缺相保護、斷電保護功能，漏電保護，過載短路保護，總電源電壓上、下限報警等功能

半導體芯片高低溫試驗箱滿足標準:

1．GB/T2423.1-2001低溫試驗方法；

2．GB/T2423.2-2001高溫試驗方法；

3．GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N；

4．滿足標準IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化

5．GB/T2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導則

6．GB/T2423.22-2002溫度變化

7．QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規則

8．EIA364-32熱沖擊（溫度循環）

半導體芯片高低溫試驗箱操作規程：

1．為避免試驗箱發生機器故障，請提供額定電壓范圍內的電源。

2．為了防止觸電或產生誤動作和故障，在安裝和接線結束之前，請不要接通電源。

3．本產品為非防爆產品，請不要在有可燃或爆炸性氣體的壞境中使用試驗箱。

4．儀器工作中請盡量不要打開試驗箱門，高溫時打開可能會對操作人員造成燙傷，低溫時打開可能會對工作人員造成凍傷，并且可能造成蒸發器結冰，影響制冷效果。若一定要打開試驗箱門，請一定做好的相關防護工作。

5．禁止擅自拆卸．加工．改造或修理試驗箱，否則會有產生異常動作．觸電或火災的危險。

6．機體的通風孔需保持通暢，以免發生故障、動作異常、降低壽命。

7．開箱時若發現機器損壞或變形，請不要通電使用。

8．機器安裝設置時注意不要讓灰塵．線頭．鐵屑或其他物品進入，否則可能會發生錯誤動作或故障。

9．接線須正確，一定要進行接地。不接地可能造成觸電．錯誤動作事故．顯示不正常或測量有較大誤差。

10．定期檢查端子螺絲和固定架，請不要在松動的情況下使用。

11．儀表運轉期間，電源入力端子蓋須安裝在端子板上以防觸電。

12．儀表在運轉中，進行修改設定．信號輸出．啟動．停止等操作之前，應充分地考慮安全性，錯誤的操作會使工作設備損壞或發生故障。

13．請使用干布擦拭儀表，不要使用酒精．汽油或其他有機溶劑，不要把水濺到儀表上，如果儀表浸入水中，請立即停止使用，否則有漏電．觸電或火災的危險。

14．儀表內部零件有一定的壽命期限，為持續安全地使用本儀表，請定期進行保養和維護。報廢本產品時，請依工業垃圾處理。

半導體芯片高低溫試驗箱應用范圍：

    半導體芯片高低溫試驗箱又名高低溫老化箱、高低溫濕熱試驗室、大型高低溫濕熱試驗箱、兩箱移動低溫交變濕熱試驗箱，用于電子電器零組件、自動化零部件通訊組件、汽車配件、金屬、化學材料、塑膠等行業，國防工業、航天、兵工業、BGA、PCB基扳、電子芯片IC半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對高、低溫產品于熱脹冷縮產出的化學變化或物理傷害。